SK海力士宣布开发出238层NAND闪存芯片 拟明年上半年量产

发布时间：2025-07-09 09:03:08 来源：引以为荣网 作者：焦点

8月3日消息，海力据国外媒体报道，士宣D闪上半周二，布开韩国芯片制造商SK海力士宣布，发出它已开发出238层NAND闪存芯片。层N存芯产

该公司表示，片拟这款芯片是明年最小的NAND闪存芯片，数据传输速度与上一代芯片相比提升50%，年量读取数据消耗的海力能量降低21%，将用于PC存储设备、士宣D闪上半智能手机和服务器，布开计划在2023年上半年开始批量生产。发出

去年12月30日，层N存芯产SK海力士宣布完成收购英特尔NAND闪存及SSD业务的片拟第一阶段。在第一阶段的明年交易中，英特尔向SK海力士出售SSD业务（包括转让NAND SSD相关的知识产权及员工）和大连的NAND闪存制造工厂，SK海力士则向英特尔支付70亿美元。

这笔收购交易的第二阶段预计将在2025年3月及之后进行，届时SK海力士将向英特尔支付余下的20亿美元。据悉，英特尔出售给SK海力士的相关资产交由后者新设立的子公司Solidigm管理。

由于全球经济的不确定性正在抑制消费者对电子产品的购买力，SK海力士在7月下旬宣布，将无限期推迟投资33亿美元新建存储芯片工厂的扩张计划。

据悉，SK海力士决定推迟扩建的工厂是该公司此前决定在清州园区建设的M17存储芯片工厂，该工厂原本计划于2023年晚些时候开工建设，预计最早于2025年完工。

外媒报道称，该公司之所以决定推迟扩建计划，可能是由于成本上升以及市场对芯片的需求放缓等问题。（TechWeb）

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